メモリ(DRAM)は、簡単な構造を縦横に並べた構造をしています。１つの回路(セル)は、電圧をかけると開くコックと電荷をためておけるタンクに例えられます。１つのセルで１ビット(0か1)の情報を記憶し、電荷がたまっていれば1、電荷がたまっていなければ0を表します。このセルを格子状に並べ、縦横の配線によって任意のセルのビット情報を読み書きしています。

メモリ(DRAM)を構成する１つの回路(セル)に１を書き込むには、タンクにつながった電線に電圧をかけた状態でコックを開き、タンクに電荷をためます(元々タンクに電荷がたまっているときにはそのままとなります)。０を書き込むには、タンクにつながった電線に電圧をかけずにコックを開き、タンクの中の電荷を出します(元々タンクが空の時はそのままとなります)。

タンクに電荷がたまっているかいないかで１か０かを判断します。コックを開いて、電荷が流れ出れば「１」流れでなければ「０」と分かります。